技术编号:7221809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的领域,且特定来说涉及具有抗模糊结构的高量子效率 CMOS图像传感器。背景技术成像器通常由含有光电传感器的像素单元阵列组成,其中每一像素产生对应于当图 像聚焦于阵列上时照射在所述元件上的光的强度的信号。接着可存储这些信号以(例如) 在监视器上显示相应的图像,或另外用于提供关于光学图像的信息。光电传感器通常是 光电晶体管、光电导体、光电门或光电二极管。因此每一像素产生的信号的量级与照射 在光电传感器上的光的量成比例。为了允许光电传感器捕捉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。