技术编号:7221849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种第3-5族氮化物半导体的多层衬底, 一种用于制备第 3-5族氮化物半导体的自立衬底的方法和一种半导体器件。背景技术第3-5族氮化物半导体用于制备半导体器件,所述半导体器件用于各 种显示器。例如,作为用于发光器件如紫外线或蓝光发光二极管或激光二 极管的材料或用于高输出或高频率电子器件的材料,由其中x+y+z—、 0Sx Sl、 0SySl和0^z^1的通式Ii^GayAlzN表示的化合物半导体是已知的。 所述化合物半导体将简称为"第3-5族氮化...
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