技术编号:7221909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括用于抑制半导体区中所包含的p型杂质扩散到邻接半 导体区的现象的结构的半导体器件。本发明还涉及制造这种半导体器 件的方法。背景技术正在进行采用III-V族化合物半导体的半导体器件的开发。III-V 族化合物半导体具有高击穿场强度(breakdown field strength)和高 饱和电子迁移率(saturated electron mobility )。因此采用IH-V族化 合物半导体的半导体器件被用作开关器件。对这种半导体器件提出了许多...
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