技术编号：7221954
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及功率半导体技术，并且尤其是涉及积累型和增 强型沟栅(trenched-gate )场效应晶体管(FET )及其制造方法。背景技术功率电子应用中的关键部件是固态开关。从汽车应用中的点火 控制到电池驱动的电子消费品、再到工业应用中的功率转换器，都 需要一种最佳;也适合具体应用要求的电源开关。固态开关，例如包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET)、绝缘栅 双极晶体管(IGBT)和各种类型的半导体闸流管，已经持续发展以 满足这种要求。...
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