技术编号:7222299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用等离子体对半导体基板的硅、平板显示基板等的 多晶硅层、非晶硅层等的被处理体表面进行处理,对硅进行氮化形成 硅氮化膜的等离子体氮化处理方法、半导体装置的制造方法和等离子 体处理装置。背景技术各种半导体装置、平板显示的TFT (薄膜晶体管)的制造过程中, 例如作为晶体管的栅极绝缘膜等,形成硅氮化膜。作为硅氮化膜的形 成方法,除由CVD (Chemical Vapor Deposition化学气相沉积)堆积 硅氮化膜的方法之外,例如在日本特开200...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。