技术编号：7222345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的形成。技术背景5 在半导体晶片处理过程中，使用公知的图案化和蚀刻处理将半导体器件的特征限定在晶片上。在这些处理中，光刻胶(PR)材料沉积在晶片上，而后暴露于被中间掩才莫过滤的光中。中间掩模一般 为玻璃板，其图案化有代表性的特征几何形状，该特征几何形状阻 止光穿透该中间掩模。10 通过中间掩才莫后，光接触光刻月交材料的表面。该光改变光刻月交材料的化学组成，使得显影剂可去除光刻胶材料的一部分。在正光 刻胶材料的情况下，曝光的区域-故去除，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。