技术编号：7222372
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的具体实例 一般而言是关于用于沉积含硅材料的方法，且更具 体而言，本发明的具体实例是关于用于热沉积氮化硅材料的化学气相沉积 技术。背景技术诸如氮化硅等含硅薄膜的热化学气相沉积法(CVD)是在制造半导体 装置时所使用的一种最先进技术的前段制程。例如，在用于沉积氮化硅的 热CVD制程中，热能是用于使得一种或以上的包含硅前驱物的原料化学物 发生断裂，以在基板表面形成氮化硅的薄膜。传统的含硅材料的热CVD是 典型地在提高的制程温度下，在批式炉或在单晶片沉积室...
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