技术编号:7222400
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。釆用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路背景技术本发明大体上涉及集成电路的制造。在CMOS技术中,为了提高NMOS和PMOS深亚微米晶体管 的性能,现有技术在PMOS晶体管的沟道中使用压应力,而对NMOS 晶体管则使用拉应力。使用应变沟道的现有技术受到很多限制。例如在PMOS器件中 可能产生多晶硅耗尽效应。另外,在PMOS器件中可能会发生拉应 变。剩余的拉应变降低PMOS器件的空穴迁移率。因此,需要一种更好的互补型金属氧化物半导体的...
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