技术编号：7222511
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光二极管，特别包括结侧向下安装在载体或下底座上的具有大的光输出功率的单片式宽发射域(BASE)激光二极管。在本文 中大输出功率意味着激光二极管具有至少100mW的输出。这种激光二极管 通常用在光电子学领域和工业应用场合。这种激光二极管的光输出功率和稳 定性受到很大关注，并且在正常使用过程中的任何恶化都是非常不利的。本 发明关注这种激光二极管的改进设计，特别是对通过以规定方式控制激光二 极管中的电流来显著最小化或避免在非常大的光输出功率时这...
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