技术编号:7222512
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,更为具体的,涉及半导体器件中的 金属-绝缘体-金属(MIM)电容。背景技术用于集成电路中的电容的一种为平坦金属—绝缘体-金属 (MIM)电容。平坦MIM电容包括顶层板状电极和底层板状电极之 间的MIM电介质体。MIM电容通常用于去耦合和旁路用途。通常,平坦MIM电容在利用典型的后端嵌刻工艺集成而被集成 在铜的上方时会不可靠并可能早期击穿,原因是介于铜和平坦MIM 电容之间的层间电介质(ILD)中的缺陷。由诸如表面形貌、粗糙度、 颗...
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