技术编号：7222737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。低电阻氮化钛膜主张优先权特此主张2005年7月20日申请的第11/185,423号美国专利申请案的优先权权益， 所述申请案以引用的方式并入本文中。 本申请案大体上涉及半导体装置和装置制造，且更明确地说涉及导电层及其制造方法。背景技术半导体装置产业受市场驱策而需要减小例如晶体管、电容器和导电互连等装置的尺 寸。较小的晶体管会改进操作速度和时钟速率，且降低备用和操作模式中的功率要求。 较小的装置还需要较薄的介电层、较薄的扩散层和较薄的导电互连层。较薄的导体层在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。