技术编号：7222769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例通常涉及半导体器件，更具体而言，涉及场效应晶体管(FET)器件。技术背景混合取向技术(HOT )提供用于PFET反型层的表面和用于NFET反 型层的表面。实现HOT技术的低成本方法导致FET的一种类型的器件体 被氧化物所隔离(绝缘体上硅(SOI))，而另一种被物理连接到体晶片。 在HOT中已经示出了三栅极器件，但是通常缺少阔值电压(Vt)调节方 法。由于设计需要控制宽度和高度以保证完全耗尽以及控制短沟道效应， 因此在体硅上设定三栅极器件中的鳍...
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