技术编号：7222847
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。-本发明大体上系关于制造半导体器件之方法，且详言之系关于制 造受应力之MOS器件之方法。背景技术大多数之现代积体电路(IC)，系藉由使用复数个互连之场效晶体管 (FET)，亦称之为金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)或简称MOS 晶体管，而实施。MOS晶体管包括栅极电极，其作为控制电极并分隔 开源极电极和漏极电极(于其间能流过电流)。施加到该栅极电极之控制 电压控制流经该源极电极和漏极电极间之沟道之电流。MOS晶体管，相对于双极(bipolar)晶体...
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