技术编号：7222932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。带有介电间隔环的边缘环组件背景技术在下述说明中，对某些结构及方法进行了参考，但是，这些参 考不应当必然解释为7 "人这些结构和方法限定为在相关适用的法 规规定下的现有技术。申请人保留证明任何参考的主题不构成现有 技术的权利。在半导体处理领域，等离子体处理室一^用于蚀刻在基片上形 成的一个或多个层。在蚀刻过程中，基片支撑于该室内的基片支撑 件表面上。基片支撑件可包括围绕该基片支撑件(即，围绕该基片) 设置的边缘环，用于将等离子体限制在该基片之上的体积，和/或...
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