技术编号:7222945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场效应晶体管。具体地,本发明涉及一种用来在利用在由GaAs或InP制成的半导体衬底上提供的III-V化合物半导体 的异质结场效应晶体管中获得优良的高频特性和高压性能的结构。背景技术作为利用化合物半导体的场效应晶体管(在下文中根据情况称之 为"FET"),常规地存在如图17所示的FET (非专利文献l K. As,页)。图17是示出包含于常规型晶体管中的异质结场效应晶体管(在 下文中将称为HJFET)的结构的截面图。在该HJFET中,缓冲层21...
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