技术编号:7223048
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有沉积阻挡层的玻璃绝缘体上的半导体 相关申请的交叉引用本申请要求2005年8月26日提交的题为"Semiconductor on Glass Insulator w他Deposited Barrier Layer"的第11/213,130号美国专利申请的优先权,其内容 通过引用整体结合于此。些旦 冃豕本发明涉及绝缘体上的半导体(SOI)结构及其制造方法。至今,绝缘体上的半导体结构中最常用的半导体材料是硅。这种结构在文献 中被称为绝缘体上的硅结构,并将縮写...
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