技术编号：7223082
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到半导体电路，更具体地说是涉及到动态随机存取存储器(DRAM)深沟槽存储电容器及这种电容器中的掩埋片的制造。半导体电路中的动态随机存取存储器(DRAM)通常组合有深沟槽存储电容器。由于用来对这种深沟槽存储电容器进行图形化的光刻基本尺寸随逐代DRAM工艺不断地缩小，故希望降低工艺复杂性并增大制造容差。掩埋片扩散区通常被用来连接深沟槽存储电容器阵列的平板区。然而，用来制作这种掩埋片扩散区的目前工艺给对成本敏感的DRAM制造工艺增加了工艺步骤和工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。