技术编号：7223434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造，更特别地，本发明涉及在碳化硅 (SiC)上制造氧化层。技术背景碳化硅(SiC)具有电性质和物理性质的组合，使其对于用于高温、 高压、高频和高功率电子器件的半导体材料相当有吸引力。这些性质包 括3. OeV的带隙、4MV/cm的电场击穿、4. 9W/cm-K的热导率以及2. 0 x107cm/s的电子漂移速度。在宽带隙化合物半导体材料中碳化硅具有形成自然氧化层的特有 性质。因此，可以在SiC层上形成热SiOz层。在SiC上形成热氧...
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