技术编号:7223442
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。形成具有高反型层迁移性的碳化硅MOSFETS的方法相关申请本申请要求获得在2005年9月16日提交的美国临时专利申请 60/717,953的优先权,该申请的公开内容通过参考在其全文中的说明在 jt匕^皮引入。政府利益声明本发明至少部分地是在美国空军(合同号FA8650 - 04 -2 -2410)和 ARL/MTO (合同号W911NF- 04 -2 - 0022 )的支持下完成。政府在本 发明中具有某些权利。发明领域本发明涉及制造电源装置的方法和获得的装...
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