技术编号:7223511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及钛酸钡锶(BST)薄膜装置的制造,且更明确地说涉及BST薄膜 电容器的钝化和BST薄膜电阻器的制造。背景技术半导体装置的制造工艺通常包含一个或一个以上钝化层。钝化层可用于(例如)使 有源组件或有源层(例如,金属线)分离。其也可用作MTM或叉指型电容器的电介质。 另外,钝化层可用于防止最终所制造的装置的污染并增强其可靠性。通常基于工艺可用性、与先前处理的兼容性和所需特性来选择用于钝化层的材料。 明确地说,可在设计的其它部分中利用的材料优选会减...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。