技术编号:7223631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有突变金属-绝缘体转变(metal-insulator transition, MIT)特性的晶片以及该晶片的热处理设备与方法,且更具体而言涉及具有 突变MIT特性的晶片、以及对该晶片实施均匀大规模热处理工艺的设备和 方法。背景技术近年来,采用相变材料的存储器装置研究和发展活跃。这种存储器装置 的一个示例为在高温下从结晶相转变为非晶相的相变存储器(phase change memory, PCM)装置。然而,这种结构性的相变使PCM装置中原...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。