技术编号：7223652
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械抛光(CMP)组合物和对微电子器件的抛光方法，更具体而言，涉及在抛光处理期间改变CMP组合物中添加剂的浓 度、从而改变CMP组合物对所述器件的摩擦系数和/或选择性的方法。相关技术的描述在半导体制造中使用不同类型的材料作为晶片基板上的微电子器 件结构元件的构造材料(例如，互连线、触点、电极、导电通孔、场发 射器基层等)。例如，相对于铝及铝合金而言，铜由于其具有较高的电 导率，且具有增大的抗电迁移能力，其迅速成为半导体制造中的首选 互连金属。...
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