用于半导体器件电极的保护阻挡层的制作方法技术资料下载

技术编号:7224057

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本发明一般涉及半导体器件,更具体地涉及用于器件电极的阻挡层,该阻挡层保护电极免受无铅焊料中活性成分的影响。背景技术例如DirectFET⑧型器件(参见第6,624,522号美国专利)和倒装晶片型器件的器件,具有一个或多个由铝制成的金属化电极,例如形成在半导体模具的第一表面上。例如,对该电极进行配置,以直接焊接至支承衬底(如印刷电路板)上的传导衬垫。此外,其它器件可以具有一个或多个金属化电极,该金属化电极被配置,以使得当器件被封装时,电极直接或间接地焊接至封...
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