技术编号：7224152
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及将锑用作半导体材料中的增强导电性掺杂物。 背景技术常常对例如硅的半导体材料进行掺杂以增强导电性。此类掺杂物可以是p型的或n型 的。装置可具有邻近未经掺杂的硅区域或邻近p型硅区域的n型硅区域。维持这些掺杂区 别对装置性能至关重要。然而，掺杂物易于扩散，尤其是在将未经掺杂的硅直接沉积在掺杂有常规n型掺杂 物(例如磷或砷)的硅上时。因此，需要限制半导体材料中，尤其是具有垂直变化的掺杂物分布的沉积结构中的 掺杂物扩散。发明内容本发明由所附权利要求书来界定...
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