技术编号:7224176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子装置应用中Co、 Ni、及其合金的化学镀镀覆。更 具体地,本发明涉及用于微电子应用的Co和Ni化学镀镀浴中的添加 剂,其包含稳定剂、整平剂(leveler)、晶粒精化剂及除氧剂。背景技术-钴化学镀沉积可在微电子装置制造的多种应用中进行。例如,钴可 用于覆盖(capping)在集成电路基材中形成电互连所用的用波形花纹 装饰的铜金属化(damascene Cu metallization)。铜可迅速地扩散到 硅基材和电介薄膜诸如Si02或低k电...
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