技术编号：7224665
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有位错密度的优选用作各种半导体器件例如发 光元件、电子元件和半导体传感器的基板的AlxGayln^.yN晶体基板(其 中x和y是满足0《x、 0《y并且x+y《l的数值，以下同样适用)、包括 该AlxGaylin+yN晶体基板的半导体器件及其制造方法。背景技术m族氮化物晶体基板，例如AlxGayln^.yN晶体基板，作为各种半 导体器件例如发光元件、电子元件和半导体传感器的基板非常有用。 在这里，为了提高各种半导体器件的性能，需要AlxGa...
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