技术编号：7224675
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构，并特别涉及一种包括至少一逻辑器件区和至少一个静态随机存取存储器(SRAM)器件区的半导体结构，其中每个器 件区包括双栅极场效应晶体管(FET)，其中每个FET器件的背栅极掺杂到 特定水平以改善FET器件在不同器件区内的性能。特别地，SRAM器件区 内的背栅极比逻辑器件区内的背栅极掺杂更重。为了控制短沟道效应，逻辑 器件区内的FET器件包括掺杂沟道，而SRAM器件区内的FET器件则没有。背景技术静态随机存取存储器(SRAM)缩放的主...
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