技术编号：7225026
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及场效应晶体管(FET)，更具体地说，是涉及结型场 效应晶体管(JFET)。 背景技术结型场效应晶体管(JFET)有着许多的应用，如用于电子开关和压控电 阻中。通常的JFET的结构如图l所示。这种P型JFET包括一N型底栅层IO， 凹入N型层10的P+源区14和P+漏区16; —P型层18，其凹入源区和漏区之 间的N层的表面中；以及一N型顶栅层20，其凹入源区与漏区之间的P型层的 表面中。源区和漏区上设有接点，栅极层则设有装置的源极(S)、漏...
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