技术编号:7225063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由钴、钌、钨构成的。更详细地说, 特别涉及适用于采用镀敷法将铜埋入沟槽时的种子层的上述金属膜的 形成方法。背景技术近年,在DRAM ( Dynamic Random Access Memory,动态随机存储 器)等电子器件上,以更高性能化为目的,配线和电极构造的精细化、 复杂化不断进展,对应于这些形状的精度要求不断提高。在电子器件上形成电极、配线的一般方法如下在基体上应该形成 配线或电极的部位形成沟槽,向该沟槽内埋入应形成配线或电极的金属 材料,...
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