技术编号：7225069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片制作，且具体地涉及制作结构以电学隔离形成于 半导体芯片上的有源或无源装置的方法。背景技术在半导体集成电路(IC)芯片的制作中，通常需要电学隔离形成于芯片 表面上的装置。各种方法可以实现这一点。 一种方法是使用公知的LOCOS (硅局部氧化)工艺，其中使用较硬材料例如氮化硅在芯片表面上形成掩模 并在掩模的开口内热生长厚的氧化物层。另一种方法是在硅内蚀刻形成槽且 随后使用例如氧化硅的介质材料填充该槽。期望在工艺早期形成这些隔离结构，因为隔离...
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