技术编号:7225070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于在衬底上相对于硅特征选择性刻蚀氧化硅层或氮化硅层或 这两者的方法。另外,本发明涉及在刻蚀氧化硅层或氮化硅层时对刻蚀属 性(例如刻蚀选择性或刻蚀均匀性或这两者)的优化。根据一个实施例,描述了一种减小隔离物刻蚀工艺中的凹进的方法和 计算机可读介质,包括将硅衬底放置在干法等离子体刻蚀系统中的衬底 夹持器上,所述硅衬底具有tt盖在多晶硅特征上的隔离物介电层;选择一 种工艺条件以使得隔离物介电层和硅衬底之间的刻蚀选择性大于或等于约 5 1,包括设置...
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