技术编号:7225644
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及如权利要求1前序部分所述的复合材料晶片的制造方法,和由复合材料晶片的制造方法得到的旧施体基材的再循环方法。背景技术 作为半导体装置制造方法中的原材料的复合材料晶片,特别是绝缘体上覆硅(SOI)型晶片正变得越来越重要。可以以合理成本制得具有良好晶体品质的该晶片的一种方法如下粘合两个基材并在已经预先形成在初始施体基材内的预定的分离区对施体基材进行拆分,从而将一个层从也具有良好晶体品质的施体基材转移至操作基材上。在SmartCutTM型方法中,该预定分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。