技术编号：7225692
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种p-i-n型薄膜硅光伏器件，这种器件内部含有带隙较窄的半导体光电转化 层。本发明特别涉及混合型窄带隙本征i层，该本征i层包含纳米晶硅和非晶锗，它们经等离 子体化学气相沉积法，在i层内形成连续的叠层结构。背景技术最近几年，薄膜光伏电池和大面积光伏模块引起了世人的广泛关注。尤其是氢化非晶硅 和纳米晶硅，它们随着光伏器件在商业和住宅设施中的广泛应用，显示出了巨大潜力。在低 于260°C这样的相对低的温度下生产薄膜硅光伏器件， 一个显著的特点是，可以...
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