技术编号:7225778
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种形成半导体器件的掩模图案的形成方法,特别是形成微型图 案的方法。背景技术通常,半导体器件例如闪存包括数千个微型图案。这些微型图案利用光 刻工艺形成。为了使用光刻工艺形成微型图案,首先将光致抗蚀剂涂覆于有 待构图的目标膜上。然后利用掩模进行普通的曝光工艺以改变曝光后的光致分,由此形成光致抗蚀剂膜图案。进行利用光致抗蚀剂膜图案作为蚀刻掩模 的蚀刻工艺,以去除目标膜的曝光部分。剥离光致抗蚀剂膜图案以形成目标 膜图案。在光刻工艺中,两个关键点是分辨...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。