技术编号:7225924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明描述一种压力接触构造的功率半导体模块用以设置在一冷构件上以及功率半导体模块所属的制造方法。背景技术 例如由DE 197 19 703A1已知的功率半导体模块构成本发明的出发点。这样的功率半导体模块按照现有技术包括一壳体与至少一个在其中设置的电绝缘的基片优选用以直接安装在一冷构件上。该基片自身包括一绝缘材料体与许多在其上相互相对绝缘的金属连接线路和多个在其上并与这些连接线路电路合理地(schaltungsgerechte)连接的功率半导体构件。此外已知...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。