技术编号:7226006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,更具体而言,涉及一种具有非对称球型 凹进栅极的半导体器件及其制造方法,该半导体器件增大了有效沟道长度 并防止了阈值电压在栅极之间相互影响下降低。背景技术随着用于开发半导体器件的设计规则降低到100nm的水平以下,其中 阈值电压由于沟道长度的减小而迅速降低的短沟道效应变得越发严重。因 此,当利用常规的平面晶体管结构获得半导体器件所需的目标阈值电压时, 在工艺和器件结构方面必然存在限制。因此,为了克服由短沟道效应引起的问题,在常规技术...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。