技术编号:7226086
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到磁阻效应元件和磁存储器。背景技术 使用磁性材料膜的磁阻效应元件被使用在例如磁头和磁传感器中。此外,也建议在固态MRAMs(磁随机存取存储器)中使用磁阻效应元件。作为一种磁阻效应晶体管元件,所谓的“铁磁TMR(隧道磁阻效应)元件”被提了出来,这种元件具有通过在两层铁磁层之间插入一个电介质单层而形成的三明治结构膜,这种结构使得电流垂直于膜表面流动,并利用了一种隧道电流。因为在铁磁隧道磁阻效应元件中已经可以获得至少20%的磁阻变化率,所以,将这种元件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。