技术编号:7226088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体器件的制造,更具体地说,涉及高电压绝缘体上硅(SOI)晶体管以及制造方法。背景技术 常规的体硅晶体管可以适应高电压。更具体地说,当在这种常规体硅晶体管上施加高电压时,晶体管可以将高电压减小以使晶体管使用典型的电压范围运行。然而,常规的绝缘体上硅(SOI)晶体管典型地不能适应高电压。因此,许多SOI晶体管的优点不能在高电压应用中实现。发明内容在本发明的第一方面,提供了制造高电压晶体管的第一方法。第一方法包括步骤(1)提供包括在绝缘体上硅(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。