技术编号：7226210
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种快闪存储装置，更具体而言，涉及一种能够防止在单元结单位(cell junction unit)之间产生穿通泄漏电流的。背景技术 随着快闪存储装置的集成水平增加，单元尺寸逐渐减小。特别是，在具有100nm或更小栅极长度的单元的情况下，可能由于小的栅极长度产生穿通泄漏电流，由此降低单元精度所要求的感测裕度(sensing margin)。图1是示出具有穿通和没有穿通的单元的V-I特性的曲线图。X轴表示任意单位(arbitrary unit)的栅极...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。