技术编号:7226249
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。更具体地,本发明涉及一种具有金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管的半导体器件。 本发明还涉及该半导体器件的制造方法。背景技术作为一种加快MOS场效应晶体管(以下称为MOSFET)的运行速度的 技术,目前已经采用向沟道施加预定应力以使沟道晶体发生应变从而增大载 流子的沟道迁移率的"应变技术"。向沟道部分施加应力的技术的例子包括改变作为元件隔离区的浅沟槽 隔离(STI)内填充的材料,从而改变施加给沟道的应力...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。