技术编号：7226611
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件制造工艺领域，涉及一种化学刻蚀方法，特别是一种氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的氧化锌材料的湿法刻蚀方法。背景技术 紫外探测器在军用和民用两方面都有着广泛的应用，包括导弹发射探测，火焰传感器，紫外辐射标定和监测，化学和生物分析，光纤通信和天文研究等方面。在这些应用中，高的响应度，快的响应时间和高的信噪比是人们追求的器件参数。最近以来，宽禁带材料被人们广泛的应用来提高紫外探测器的响应度和可靠性。其中氧化锌材料由于其比较高的对紫外响应度，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。