技术编号:7226751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高电压晶体管,特别是一种标准亚微米CMOS工艺下的新的含扩展漏极的高压NMOSFET(金属氧化物半导体场效应管)结构和新的含扩展漏极高压PMOSFET结构。本发明的目的是在不改变现有CMOS工艺的条件下将抗击穿能力结合到标准亚微米CMOS中(只采取掩模控制技术)。新的含有扩展漏极的高压NMOS和PMOS可完全由标准亚微米CMOS工艺实现,可分别达到高击穿电压和低导通电阻的效果。由于全部可以使用现有工艺,含有扩展漏极的高压NMOS和PMOS的实现不...
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