技术编号:7227000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,具体涉及一种的。背景技术 II-VI族和III-V族化合物具有直接带间跃迁的半导体发光材料,材料的发光波长覆盖从红外到紫外整个波段。其中,氮化镓(GaN)是一种直接宽带隙半导体,具有3.4eV的带隙宽度。氮镓铟(InGaN)、氮镓铝(AlGaN)化合物带隙宽度从1.9eV到6.2eV,砷化镓(GaAs)化合物的为1.4eV。在现有技术中,LED基本结构是由P型电极、有源发光区和N型电极构成。将LED的P端和N端接入电路中,通过恒流源供电,...
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