技术编号：7227019
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED 外延片及其制备方法。技术背景GaN基高亮度发光二极管(LED)是目前全球光电子领域研究和产业的前 沿和热点。由于发光二极管具有体积小、重量轻、能耗低、无污染等特点，广 泛应用于大屏幕显示、交通信号灯、液晶背光源等领域。随着发光二极管亮度 不断提高、成本不断下降、甚至可进入照明领域。因此超高亮度发光二极管成 为世界各国争相研制的热点。GaN基LED制备要经过LED外延片生长，LED 芯片制备...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。