技术编号:7227137
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED半导体晶片的工艺制程,尤其是一种无掩膜半 导体外延片制作方法。技术背景如今最受关注的新型半导体材料是GaN (氮化镓)基材料,广泛 应用于短波长半导体光电子器件和微电子器件制备领域,尤其是半导 体发光二极管的光电行业。由于GaN晶体本身的物理特性,它的单 晶生长过程极其困难,后来采用蓝宝石衬底在其表面通过生长结晶的 方法获得GaN晶体,但此方法形成的GaN晶体外延层中存在极高的 位错密度,使GaN晶体质量很差。目前降低位错密度最为常用的方 ...
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