半导体隔离结构及其形成方法技术资料下载

技术编号:7227412

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本发明涉及半导体制造,特别涉及一种半导体隔离结构形成方 法及其隔离结构。背景技术半导体集成电路通常包含有源区和位于有源区之间的隔离区,这些隔离 区在制造有源器件之前形成。现有技术中形成隔离区域的方法主要有局部氧化隔离工艺(LOCOS)和浅沟槽隔离工艺(STI) 。 LOCOS工艺是在晶圆表 面淀积氧化硅和氮化硅层,然后对氮化硅层进行刻蚀,形成沟槽,在沟槽区 域生长隔离氧化层。由于氧化过程中氮化硅和硅之间的热膨胀性能不同,在 氮化硅和氧化硅的边界,氧通过氧化...
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