技术编号:7227412
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种半导体隔离结构形成方 法及其隔离结构。背景技术半导体集成电路通常包含有源区和位于有源区之间的隔离区,这些隔离 区在制造有源器件之前形成。现有技术中形成隔离区域的方法主要有局部氧化隔离工艺(LOCOS)和浅沟槽隔离工艺(STI) 。 LOCOS工艺是在晶圆表 面淀积氧化硅和氮化硅层,然后对氮化硅层进行刻蚀,形成沟槽,在沟槽区 域生长隔离氧化层。由于氧化过程中氮化硅和硅之间的热膨胀性能不同,在 氮化硅和氧化硅的边界,氧通过氧化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。