技术编号:7227499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种侦测半导体工艺反应室温度分布的方法,特别涉及一种侦测反应室内所 置放的晶片温度分布的方法。背景技术反应室为半导体工艺中的基本设备,其用来进行氧化、沉积、热处理及除气等工艺参数。 而此程序中,温度为最重要的工艺参数,其决定该程序的成品率。然而,要对于反应室的温 度进行控制并不容易,这是因为反应室通过诸如热灯丝等加热器来供应热源,而工艺中需要 经过升温及对于加热器的调控,但加热器本身的温度并无法直接反应反应室内的实际温度, 虽然,可通过在反应室内...
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