技术编号：7227720
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造工艺，尤其涉及。 背景技术在非易失性存储器，例如与非逻辑门(NAND)闪存单元的制作过程中，希 望形成上宽下窄的类倒梯形多晶硅截面。因为如果多晶硅截面是垂直的或者上 窄下宽的形状，则在后续完成氧化物填充后再进行4册;〖及刻蚀的过程中，难以将 多晶硅刻蚀干净，需要执行额外的清理步骤来去除底部残留的多晶硅。若釆用传统的干法刻蚀制程来获得类倒梯形的多晶硅截面，则由于刻蚀过 程很难控制，无法获得形状一致且特征线宽均勻性较好的多晶硅截面。发明...
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