技术编号:7227804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法,属于高密度MCM-D基板的封装领域。背景技本MCM-D(Multichip Module Deposition薄膜多芯片组件)基板的薄膜多层互连结构内埋置无源元件和有源器件的技术可以进一步提高组件的组装密度和组件性能,使其具有更多的功能。一般埋置薄膜电阻或电阻网络的方法是采用NiCr、TaN或TiW等多层复合金属膜既作为粘附层又可作为电阻薄膜,通过套刻工艺同时形成薄膜电阻和电阻总端电极以及...
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