技术编号:7227818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更确切地说涉及一种用于波长扩展InxGa1-xAs(0.53<x<1)光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层结构及实现方法,本发明属于半导体光电子材料及器件领域。背景技术 与InP衬底晶格匹配的In0.53Ga0.47As三元系材料具有直接带隙和高电子迁移率的特点,其室温下的禁带宽度约0.75eV,对应的波长约1.65μm,恰好可以覆盖光纤通信波段,因此采用In0.53Ga0.47As三元系材料制作的光电探测器在光通信领域获得了普遍应...
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